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MCH6663
1000
RDS(on) -- VGS
[Pch]
Ta=25°C
1000
RDS(on) -- Ta
[Pch]
900
900
= --0
--4.0
VGS
=
--0.4
- - 4.5V
VGS
, I D= --
V GS=
800
700
600
500
400
300
200
100
ID= --0.4A
--0.8A
800
700
600
500
400
300
200
100
=
V, I D
, I D=
--10.0V
.4A
A
0.8A
0
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate to Source Voltage, VGS -- V
10
7
| y fs | -- ID [Pch]
IT16671
VDS= --10V
--10
7
5
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT16672
[Pch]
VGS=0V
5
3
2
5 °
° C
75 °
3
2
1.0
7
5
3
2
Ta
=
--2
25
C
C
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
7
5
3
2
0.1
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
--0.001
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
100
7
5
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT16630
[Pch]
VDD= --15V
VGS= --10V
1000
7
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT16631
[Pch]
f=1MHz
3
2
td(off)
3
2
10
100
Ciss
7
5
3
2
td(on)
tr
tf
7
5
3
2
Coss
Crss
1.0
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
10
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
--10
--9
VDS= --15V
ID= --1.5A
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
IT16632
[Pch]
--10
7
5
Drain to Source Voltage, VDS -- V
ASO
IDP= --6A (PW ≤ 10 μ s)
IT16633
[Pch]
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
ID= --1.5A
Operation in this area
is limited by RDS(on).
Ta=25 ° C
Single pulse
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
--0.01 When mounted on ceramic substrate (900mm 2 × 0.8mm) 1unit
--0.01 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 2 3
5 7 --100
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT16673
Drain to Source Voltage, VDS -- V
IT16674
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